File word đề thi HSG Hóa 9 Một trường ở – Thanh Oai– năm học 2015 – 2016

File word đề thi HSG Hóa 9 Một trường ở – Thanh Oai– năm học 2015 – 2016

Câu 1(3đ) :

Muối A có công thức XY, tổng số hạt cơ bản trong A là 140, số hạt mang điện nhiều hơn số hạt không mang điện là 44. Cũng trong phân tử này thì số hạt mang điện của Y nhiều hơn của X cũng là 44 hạt. Xác định công thức phân tử của A.

Nhận biết các chất rắn đựng trong các lọ riêng biệt sau: KCl; NH4NO3 ; Ca(H2PO4)2

Câu 2 (5điểm):

Chọn các chất A, B, C, D thích hợp và viết các phương trình hóa học minh họa cho sơ đồ phản ứng sau:

Sục rất từ từ V lít CO2 ở điều kiện tiêu chuẩn vào 148g dung dịch Ca(OH)2 20% thì thu được 30g kết tủa. Tính V và nồng độ phần trăm của các chất có trong dung dịch sau phản ứng?

Câu 3( 5điểm):

Hòa tan một muối cacbonat kim loại M bằng một lượng vừa đủ dung dịch H2SO4 9,8% người ta thu được dung dịch muối sunfat có nồng độ 13,442 %. Xác định CTHH của muối cacbonat nói trên.

Hỗn hợp X gồm Zn, Fe, Cu. Cho 9,25 gam hỗn hợp X tác dụng với dung dịch HCl dư thu được 2,24 lít H2 (đktc). Mặt khác biết 0,3 mol X phản ứng vừa đủ với 7,84 lít Cl2 (đktc). Tính % theo khối lượng mỗi kim loại có trong X.

Câu 4 (3điểm):

Giải thích hiện tượng khi:

Nhúng thanh Mg vào dung dịch CuSO4

Có thể bạn quan tâm  Đề thi HSG Hóa 9 – Hà Nội – Năm học 2021 – 2022

Nhỏ từ từ dung dịch HCl vào dd Na2CO3

Hòa tan a gam hỗn hợp gồm Na và Al vào nước dư thu được 4,48 lít khí H2 ở điều kiện tiêu chuẩn,nhưng nếu hòa tan a gam hỗn hợp này vào dung dịch NaOH dư thì thu được 7,84 lít H2 (đktc). Tính a?

Câu 5 (4điểm):

Cho 10,4g Hỗn hợp bột Mg và Fe vào 200 ml dung dịch CuSO4 2M, sau phản ứng thu được 19,2g chất rắn B và dung dịch C. Cho C tác dụng với dung dịch NaOH dư, lọc, rửa và nung kết tủa mới thu được trong không khí đến khối lượng không đổi thu được 24g hỗn hơp 3 oxit. Tính khối lượng mỗi kim loại trong hỗn hợp.

Tải file word ở phần comment

admin

One thought on “File word đề thi HSG Hóa 9 Một trường ở – Thanh Oai– năm học 2015 – 2016

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *